干法蚀刻：新型特种气体的崛起  

蚀刻是通过化学和物理方法选择性地从硅片表面去除不必要的材料的过程。蚀刻的目的是正确复制硅片上的掩膜图形。蚀刻分为湿蚀刻和干蚀刻。湿蚀刻是利用液体化学试剂或溶液通过化学反应进行蚀刻。干蚀刻利用低压放电产生的等离子体中的离子体或游离基与材料发生化学反应，或通过轰击等物理作用实现蚀刻。气体是主要介质。干蚀刻的优点是各向异性(即垂直蚀刻速度远大于水平速度)明显，具有良好的尺寸控制和良好的化学品处理成本。

硅片的蚀刻气体(特殊气体)主要是氟基气体，包括四氟化碳、四氟化碳/氧气、六氟化硫、六氟乙烷/氧气、三氟化氮等。但由于各向同性和选择性差，改进后的蚀刻气体通常包括氯基(Cl2)和溴基(Br2)、HBr)气体。四氟化硅、四氯硅烷和SiBr4是反应生成物。在CCl4等复合层中，常用氯基气体蚀刻铝和金属复合层。、Cl2、BCL3等。产品主要包括AlCL3等。

蚀刻气体的工业术语是将氧化硅膜、金属膜等无光刻胶覆盖的加工表面蚀刻掉，保存光刻胶覆盖面积，从而在基板表面获得所需的成像图形。蚀刻的基本要求是图形边缘整齐，线条清晰，图形变化差小，光刻膜及其覆盖保护表面无损伤和钻孔腐蚀。蚀刻方法包括湿法化学蚀刻和干法化学蚀刻。干法蚀刻所用的气体称为蚀刻气体，通常为氟化物气体，如四氟化碳、三氟化氮、六氟乙烷、全氟丙烷、三氟甲烷等。由于蚀刻方向性强，工艺控制准确，剥离方便，